# 故障電流のDCオフセットについて

> ソース: https://voltgrids.com/ja/blog/dc-offset-in-fault-current-explained/
> Published: 2026-04-23T02:50:48+00:00
> Modified: 2026-05-11T02:14:31+00:00
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## 概要

このテクニカルガイドでは、故障電流のDCオフセットが保護システムの信頼性とCTコアの飽和にどのような影響を与えるかを説明します。X/R比を使用した過渡寸法係数の計算方法について説明し、産業用変電所における非対称故障条件に対して変流器が正しく指定されていることを確認します。.

## Media

- YouTube: https://youtu.be/FeDuekVVh5Y
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## 記事

![LFZB8-10 現在の変圧器 10kV 屋内単一フェーズ-エポキシ樹脂鋳造 CT 5A 1A 12 42 75kV 絶縁材 0.2S0.5S のクラス GB1208 IEC60044-1](https://voltgrids.com/wp-content/uploads/2026/01/LFZB8-10-Current-Transformer-10kV-Indoor-Single-Phase-Epoxy-Resin-Casting-CT-5A-1A-12-42-75kV-Insulation-0.2S0.5S-Class-GB1208-IEC60044-1-1.jpg)

[カレント・トランス(CT)](https://voltgrids.com/ja/product-category/instrument-transformer/current-transformerct/)

## はじめに

ほとんどの工学の教科書に載っている故障電流の計算は、きれいで対称的な正弦波から始まる。実際の故障電流はそうではない。電力系統で故障が発生した瞬間、電流波形が左右対称になることはほとんどなく、その非対称性には隠れたエネルギー成分が含まれているため、保護リレーが反応するよりもずっと前に、最初の半サイクル内で変流器コアを飽和状態に追い込む可能性がある。.

**直接的な答え故障電流のDCオフセットは、対称的なAC故障電流に重畳された減衰する一方向成分であり、誘導回路の電流を故障前の値から新しい定常故障レベルまで瞬時に変化させることができないシステムによって引き起こされる。.**

私は、ヨーロッパ、中東、東南アジアの産業用変電所で保護エンジニアと仕事をしてきましたが、同じ盲点が繰り返し現れます。故障レベル調査では対称短絡電流を正確に計算しますが、DCオフセット乗数は計算されたエンジニアリング入力ではなく、チェックボックスとして適用されます。その結果、紙の上では正しく見えるCTの仕様が、最初の実際の非対称故障の際に現場で失敗してしまうのです。この記事では、このギャップを埋めるための完全な物理学、実際的な計算、および CT 選定のフレームワークを提供します。🔍

## 目次

- [故障電流のDCオフセットとは何か、それはどこから来るのか？](#what-is-dc-offset-in-fault-current-and-where-does-it-come-from)
- [DCオフセットはどのようにCTコアのピークフラックス要求を増加させるか？](#how-does-dc-offset-multiply-peak-flux-demand-on-ct-cores)
- [DCオフセットの深刻度を計算し、それに応じてCTを選択するには？](#how-do-you-calculate-dc-offset-severity-and-select-cts-accordingly)
- [DCオフセットの飽和リスクを低減する設置方法とメンテナンス方法とは？](#what-installation-and-maintenance-practices-reduce-dc-offset-saturation-risk)
- [故障電流のDCオフセットに関するFAQ](#faqs-about-dc-offset-in-fault-current)

## 故障電流のDCオフセットとは何か、それはどこから来るのか？

![故障の発生から時間経過に伴う電流成分を正確に視覚化し、非対称電流の合計を対称AC正弦波と減衰DC指数曲線の組み合わせとして表示し、X/R比などの変数を参照し、すべてを複雑な工学回路部品に重ねて表示します。.](https://voltgrids.com/wp-content/uploads/2026/04/Decoding-DC-Offset-in-Asymmetrical-Fault-Current-1024x687.jpg)

非対称故障電流におけるDCオフセットの解読

直流オフセットを理解するには、誘導回路の基本的な特性から始める必要がある： **[インダクタンスを流れる電流は瞬時には変化しない。](https://en.wikipedia.org/wiki/Inductor)[1](#fn-1).** この単一の物理的制約が、電力系統におけるすべての非対称故障過渡現象の原因であり、これを理解することでCT仕様に関する考え方が完全に変わります。⚙️

### 障害発生の物理学

故障が発生すると、回路は故障前の状態から新しい定常故障状態に遷移する。純粋な誘導システムでは、定常状態の故障電流は対称的なAC正弦波である。しかし、故障が発生した瞬間の実際の電流は、故障前の電流と等しくなければならず、不連続にジャンプすることはできません。.

したがって、全故障電流は2つの成分の合計となる：

i(t)=iAC(t)+iDC(t)i(t) = i_{AC}(t) + i_{DC}(t)

どこでだ：

- iAC(t)i_{AC}(t) = 対称交流故障電流成分 Ipeak×罪⁡(ωt+ϕ−θ)I_{peak}\I_{ピーク} I_{ ピーク
- iDC(t)i_{DC}(t) = 減衰するDCオフセット成分 −Ipeak×罪⁡(ϕ−θ)×e−t/τ-ピーク\t - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak} - I_{peak

そして

- ϕ\ファイ = 故障発生時の電圧位相角
- θ\テータ = システム・インピーダンス角 (アークタン⁡X/R)(\アークタンX/R)
- τ\タウ = 直流時定数 L/R=X/RωL/R = \frac{X/R}{omega}.

### フォルト・インセプション・アングルの役割

DCオフセットの大きさは、すべて **故障発生瞬間の電圧位相角**:

| フォルト・インセプション・アングル (ϕ−θ)(╱-╱θ) | DCオフセットの大きさ | 非対称の条件 |
| 90° | ゼロ | 完全対称故障 - DCオフセットなし |
| 45° | 0.707×Ipeak0.707倍 I_{ピーク｝ | 部分的な非対称性 |
| 0° | IpeakI_{peak} 最大 | 完全非対称故障-最悪の場合 |

最悪のシナリオである最大DCオフセットは、以下の場所で故障が発生した場合に起こります。 **電圧ゼロクロス** 高誘導システム（ここで ϕ−θ≈0∘\約0^circ).これは珍しいエッジケースではない。X/R比が20以上の高圧送電システムでは、インピーダンス角度 θ\テータ が90°に近づき、DCオフセットが最大に近くなる確率が大きくなる。.

### 直流時定数と減衰率

直流成分は無期限に持続するわけではなく、時定数とともに指数関数的に減衰する。 τ=L/R\L/R. .実用的な電力系統の用語では：

- **配電システム（X/R = 5-10）：** τ≈16–32\約 16-32 ms →\ライトアロー [DCオフセットは3～5サイクルで減衰](https://ieeexplore.ieee.org/document/8317325)[2](#fn-2)
- **副変速システム（X/R = 10-20）：** τ≈32–64\約 32-64 ms →\ライトアロー DCオフセットが5～10サイクル持続
- **トランスミッションシステム（X/R = 20-50）：** τ≈64–160\約 64-160 ms →\ライトアロー DCオフセットは10～25サイクル持続可能

この崩壊のタイムラインは非常に重要だ： **高速保護は、最初の1～3サイクル以内に作動しなければならない。** - 正確には、DCオフセットが最大値かそれに近く、CT飽和の危険性が最も高いときである。.

### DCオフセットの深刻度を規定する主要パラメータ

| パラメータ | シンボル | DCオフセットへの影響 | 典型的な範囲 |
| X/Rレシオ | X/RX/R | より高い X/RX/R →\ライトアロー より大きい τ\タウ →\ライトアロー 減衰が遅い | 5 - 50 |
| 直流時定数 | τ\タウ (ミリ秒） | 長い τ\タウ →\ライトアロー 直流が長く続く | 16 - 160ms |
| フォルト・インセプション・アングル | ϕ−θ\Μετεώγραμμα για | 0°に近い →\ライトアロー より大きな初期DC | 0° - 90° |
| 対称故障電流 | IscI_{sc} | より高い IscI_{sc} →\ライトアロー より大きな絶対直流マグニチュード | システム依存 |

## DCオフセットはどのようにCTコアのピークフラックス要求を増加させるか？

![障害発生後、CTコアの磁束が時間とともに蓄積するメカニズムを示すエンジニアリング・インフォグラフィック図。対称的なAC磁束成分は制限された範囲内で振動するが、一方向に減衰するDCオフセット成分は累積的に磁束を追加し、総コア磁束を対称的な成分単独よりも指数関数的に高くする相乗効果を示している。ビジュアライゼーションでは、最初のサイクル内でコアの飽和しきい値を横切る総磁束曲線が詳細に示され、高いX/R比がより高いニーポイント電圧でより大きなコアを必要とする理由が示されます。K_{td}≈ 1 + X/Rのような簡略化された公式と、さまざまなX/R値とコアタイプの比較、および最大飽和リスクを示すタイムラインが含まれています。.](https://voltgrids.com/wp-content/uploads/2026/04/Understanding-DC-Flux-Accumulation-CT-Transient-Saturation-1024x687.jpg)

直流磁束蓄積とCT過渡飽和の理解

一次故障電流の DC オフセットと CT コアの磁束蓄積の間の直接的で定量的なリンクです。このメカニズムを理解することが、CT を正しく指定するエンジニアと、保護故障の後に問題を発見するエンジニアを分けることになります。🔬

### 一次電流からコアフラックスへ

CT コアの磁束は、印加された二次電圧の時間積分であり、一次電流に比例します。対称的な交流成分のみでは、磁束はゼロを中心に対称的に振動し、正と負の半サイクルは相殺され、ピーク磁束は拘束されたままです。.

直流オフセット成分は基本的に異なる振る舞いをする。一方向性であるため、その磁束寄与は **単調に蓄積される** - このフラックスは、キャンセルされることなく一方向のコアフラックスに加算される。どの瞬間のコア磁束も合計すると

Φ(t)=ΦAC(t)+ΦDC(t)+Φresidual\Phi(t) = Phi_{AC}(t) + Phi_{DC}(t) + Phi_{residual} = Phi_{AC}(t) + Phi_{DC}(t)

どこで ΦDC(t)\Phi_{DC}(t) は、故障発生時にゼロから増加し、ピークに達した後、直流成分自体が減衰するにつれて減衰する。総電流需要のピークは t=0t=0, しかし、およそ t=τt = \tau (故障発生後1時定数）-故障発生後32-160msとなる。.

### 過渡寸法係数(KtdK_{td})

[IEC 61869-2では、過渡寸法係数を用いて全フラックス要求乗数を定量化している。](https://webstore.iec.ch/publication/6014)[3](#fn-3):

Ktd=1+(X/R)×(ωτ1+(ωτ)2)K_{td} = 1 + (X/R) ￤左( ￤左)\右)

実用的なエンジニアリングでは、簡略化した保存式が広く使われている：

Ktd≈1+(X/R)K_{td}\約 1 + (X/R)

ということだ：

| システムX/R比 | KtdK_{td} 概算 | ピーク・フラックス対対称のみ |
| X/R = 5 | ~6 | 6×対称磁束需要 |
| X/R = 10 | ~11 | 11×対称フラックス需要 |
| X/R = 20 | ~21 | 21×対称磁束需要 |
| X/R = 30 | ~31 | 31×対称磁束需要 |

X/R = 20のバスで対称故障電流用に正しくサイジングされたCTには、ニーポイント電圧が必要です。 **21倍** 対称負担電圧だけよりも。この乗数を無視することは、保守的な近似ではなく、根本的な仕様の誤りである。.

### フラックス蓄積タイムライン

について [CTコア飽和](https://voltgrids.com/ja/blog/ct-magnetic-saturation-behavior-during-faults/) プロテクション・エンジニアが内面化しなければならないのは、予測可能なパターンである：

- **サイクル1（0-20ms）：** 最大付近のDCオフセット →\ライトアロー フラックスが急速に蓄積 →\ライトアロー 飽和の可能性が高い
- **サイクル2-3（20-60ms）：** 直流減衰 →\ライトアロー フラックス蓄積の減速 →\ライトアロー 部分飽和可能
- **サイクル4以上（60ms以上）：** 直流が大幅に減衰 →\ライトアロー フラックスが対称的な振る舞いに戻る →\ライトアロー CTが回復

**カスタマー・ストーリー** ドイツのバイエルン州にある工業団地の66kV系統接続プロジェクトに携わっていたトーマスという保護エンジニアは、16kAの対称故障レベルに基づいてALF 20のクラスP CTを指定した。そのバスのシステムX/R比は25であった。試運転中、段階的な故障テストにより、CTが最初のサイクルで飽和し、距離リレーのゾーン1が動作しないことが判明しました。で再計算。 Ktd=26K_{td} = 26 その結果、必要なニーポイント電圧は規定より4.3倍高いことがわかりました。Beptoは正しい過渡寸法を持つ交換用のクラスTPY CTを供給し、保護スキームは最初の再試験ですべての段階的故障試験に合格しました。✅

### 異なるCTコアタイプへの影響

すべてのコアが直流磁束蓄積に等しく反応するわけではない：

- [**標準的なシリコンスチールコア（GOES）：** 高い残留性](https://www.researchgate.net/publication/320146059_Magnetic_materials_for_current_transformers)[4](#fn-4) (KrK_r 60-80%）は、以前のイベントからの残留フラックスが直流駆動のフラックス蓄積に直接加わることを意味する。
- **ニッケル鉄合金のコア：** シャープなニーポイントと適度なリマネンス - 予測可能な飽和境界だが、適切なサイジングを行わないと高X/R比では脆弱。
- [**ナノ結晶コア（クラスTPZ）：** ゼロに近い残留磁力](https://ieeexplore.ieee.org/document/7391219)[5](#fn-5) (Kr<10K_r < 10%)とエアギャップ設計 - 直流磁束蓄積を劇的に低減し、最高の過渡性能

## DCオフセットの深刻度を計算し、それに応じてCTを選択するには？

![X/R比の入力、必要なVkの計算、TPYクラスの推奨値、Bepto CTの仕様書、シンガポールの半導体工場の変電所に関する手書きのメモ、机上のTPY変流器のサンプル、背景には夕暮れのシンガポールのスカイライン。.](https://voltgrids.com/wp-content/uploads/2026/04/Analyzing-CT-Sizing-and-Ktd-with-Engineering-Software-1024x687.jpg)

エンジニアリングソフトウェアによるCTサイジングとKtdの分析

DC オフセット条件に対する正しい CT の選択は、計算主導のプロセスです。実際の数値に代わる保守的な経験則はありません。以下は、完全なステップ・バイ・ステップのフレームワークです。📐

### ステップ1：故障点におけるシステムのX/R比の決定

CT が設置される特定のバスのネットワーク障害調査から X/R 比を取得します。システム全体の一般的な値を使用しないでください - X/R はネットワーク内の場所によって大きく異なります：

- **発電機の端子：** X/R = 30-80（DCオフセットのリスクが最も高い）
- **HV送電バス：** X/R = 20-40
- **MV配電変電所：** X/R = 10-20
- **LV産業用システム：** X/R = 5-10

### ステップ2：必要なニーポイント電圧を計算する

IEC 61869-2に従った完全な過渡サイジング式を適用する：

Vkrequired≥Ktd×Ifsecondary×(Rct+Rb)V_{k_required}\K_{td}\回 I_{f_secondary}\回 (R_{ct} + R_b)

どこでだ：

- Ktd=1+(X/R)K_{td} = 1 + (X/R) - 過渡寸法係数
- IfsecondaryI_{f_secondary} = 最大対称故障電流（二次側アンペア数
- RctR_{ct} = CT二次巻線抵抗 (Ω)(⋈◍＞◡＜◍)。
- RbR_b ＝全接続負荷抵抗 (Ω)(⋈◍＞◡＜◍)。

を適用する。 **最小20%安全マージン** を考慮した計算値より高い：

- X/R比の測定不確かさ
- 過去の断層イベントからの残留フラックス
- 負担計算公差

### ステップ3：適切なCT精度クラスを選択する

| プロテクション・アプリケーション | DCオフセットの深刻度 | 推奨CTクラス | 残留の条件 |
| 過電流リレー（50/51） | ロー・ミディアム（X/R | クラスP、ALF 20-30 | 特になし |
| 過電流リレー（50/51） | 高い（X/R >10） | 計算されたクラスPX VkV_k | 特になし |
| ディファレンシャルリレー（87T/87B） | どんなものでも | クラスTPYまたはTPZ | Kr |
| 距離リレー (21) | ミディアム-ハイ | クラスTPY | Kr |
| オート・リクロース・スキーム | どんなものでも | クラスPRまたはTPY | Kr |
| バスバー保護 (87B) | 高い | クラスTPZ（エアギャップ） | ほぼゼロ |

### ステップ4：環境と設置条件の確認

- **屋内MV開閉装置（≤40℃）：** 標準サーマルクラスB
- **屋外設置または熱帯気候（40℃以上）：** サーマルクラスFまたはHが必要
- **沿岸または化学的環境：** IP65エンクロージャ、耐腐食性端子材料
- **高高度施設（1000m以上）：** 誘電性能と熱性能にIECディレーティング係数を適用する。

### ステップ5：工場と現場でのテストによる確認

通電前に、直流オフセット性能の確認を行う：

1. **工場受入試験（FAT）：** 磁化曲線証明書を確認 - 測定値を確認 VkV_k 仕様
2. **現地での二次注入テスト：** V-I励磁曲線をプロットし、ニーポイントの位置を確認する
3. **負担の測定：** 高精度のインピーダンスメーターで実際の設置負担を測定する。
4. **レマネンス・チェック** クラスTPY/TPZ CTの場合、試験証明書の残留電位仕様を確認する。

**カスタマー・ストーリー** シンガポールのEPCコントラクターで半導体工場向けの22kV産業用変電所を担当する調達マネージャーのサラは、当初3社のサプライヤーからCTの見積もりを受け取りました。工場での磁化試験証明書を要求したところ、標準的なV-I曲線とともにKtdの測定検証データが含まれていたのはBeptoの文書だけでした。他の2つのサプライヤーは同等の文書を作成できませんでした。彼女のクライアントの保護エンジニアは、技術的証拠パッケージの完全性を理由に、ベプトのCTのみをプロジェクトに採用しました。💡

## DCオフセットの飽和リスクを低減する設置方法とメンテナンス方法とは？

![紺色のユニフォームを着用し、保護帽をかぶり、安全眼鏡をかけた東アジアの男性メンテナンスエンジニアが、「BAY 1: TRANSFORMER FEEDER」および「33kV SWITCHGEAR」と表示された開閉器パネル内のCT端子で、二次注入試験と消磁を行っている。磁化曲線と消磁波形を表示する車輪付きカート上の多機能テストセットを使用している。色分けされたテストケーブルが接続されている。近代的で清潔な配電盤室には、同様のパネルと透明なコンクリートの床が見える。これは、DCオフセットの飽和リスクを低減するための故障後のメンテナンスを示しています。.](https://voltgrids.com/wp-content/uploads/2026/04/Maintenance-Engineer-Performing-CT-Demagnetization-1024x687.jpg)

CT消磁を行うメンテナンス・エンジニア

正しく指定された CT であっても、設置方法が不適切であったり、故障後の保守が不十分であったりすると、DC オフセット性能が損なわれることがあります。これらは、運用寿命にわたって保護システムの完全性を保護する現場レベルの規律です。.

### 設置チェックリスト

1. **二次ケーブルの長さを最小限に** - ケーブルが1メートル増えるごとに負荷に抵抗が加わり、必要なニーポイント電圧以上の有効な安全マージンが直接減少する。
2. **通電前に極性を確認する** - P1/P2またはS1/S2の逆接続により、飽和に起因する誤った差動電流を模倣した差動リレーの誤動作を引き起こす。
3. **実際の負担を測定し、文書化する** - 精密インピーダンスブリッジを使用して、すべてのリレー入力、テストスイッチ、および端子接点抵抗を含む二次回路の総抵抗を測定する。
4. **試運転前に消磁を行う** - 工場試験や輸送時の磁化による残留磁束を除去するため、AC消磁を施す。
5. **ベースライン磁化曲線の記録** - 現場で測定されたV-I曲線を、将来のメンテナンス比較の基準として保持する。

### DCオフセットの飽和を悪化させるよくある間違い

- **Ktd乗算器なしで対称故障電流を流す** - MV/HV保護エンジニアリングで最も一般的かつ最も重大なCTサイジングの誤り
- **オートリクローズ方式における残留フラックス蓄積の無視** - このような用途では、クラスPRまたはTPYコアが必須です。
- **差動保護ゾーン内のCTクラスの混合** - クラス PX CT を一方の端子に、クラス P CT をもう一方の端子に接続すると、DC オフセット条件下で不等な飽和動作が発生し、誤った差動電流が生成されます。
- **パネル修正後の負担の再検証を怠る** - 最初の試運転後にリレー入力、テストプラグ、または監視装置を追加すると、負担が増加し、DCオフセット性能マージンが減少します。
- **断層後消磁のスキップ** - 有意な DC オフセットを伴う近接故障の後、コアは利用可能なヘッドルームの 40-80% を占めることができる残留磁束を保持する。

### 推奨メンテナンス間隔

| アクティビティ | トリガー | インターバル |
| 磁化曲線の検証 | コミッショニング＋定期的 | 5年ごと |
| 負担の測定 | パネル修正後 | 必要に応じて |
| コアの脱磁 | 近接故障発生後 | 故障後 |
| 目視検査と端末検査 | 定期メンテナンス | 年間 |
| 二次噴射フルテスト | 大規模変電所停止 | 10年ごと |

## 結論

故障電流の DC オフセットは、CT 仕様における二次的な考慮事項ではなく、保護システム動作の最も重要なウィンドウにおけるピーク磁束需要の主要な原動力です。これは、保護システム動作の最も重要な時間帯におけるピーク磁束需要の主な要因です。 (1+X/R)(1 + X/R) 過渡寸法係数は、定型的な CT のサイジングを、20 ミリ秒でトリップするリレーと完全に故障するリレーの違いを意味する計算へと変えます。完全な過渡磁束要求を念頭に置いてCTを指定し、測定された磁化曲線で検証し、高速保護が要求する規律に従ってコアを保守してください。. **DCオフセットの計算を正しく行えば、保護システムは最も重要なときに性能を発揮します。.** 🔒

## 故障電流のDCオフセットに関するFAQ

### **Q: 故障電流における可能な最大のDCオフセットとは何でしょうか。また、それはどのようなシステム条件下で発生するのでしょうか。**

**A:** 最大 DC オフセットは、対称故障電流のピークに等しく、純誘導システムにおいて故障開始角がゼロに等しい場合に発生する。実際には、X/R比が30を超える送電システムはこの最悪の状態に近づくため、すべてのHV保護スキームにおいて過渡CTのサイジングが不可欠となる。.

### **Q: なぜX/R比が高くなると、非対称故障時のCT飽和リスクが高まるのですか？**

**A:** X/R比が高いほど直流時定数が長くなる τ=L/R\L/R, そのため、DCオフセットの減衰はより遅くなります。コア磁束は、DC成分が消滅する前に、より多くのサイクルにわたって蓄積され、ピーク磁束需要と電位飽和時間の両方を増加させ、必要なCTニーポイント電圧を直接増加させます。.

### **Q: 残留残留残留磁束は、CT飽和を悪化させるDCオフセットとどのように相互作用するのですか？**

**A:** 以前の故障事象またはスイッチング動作からの残留磁束は、新しい故障が始まる前にコア容量を事前に占有します。DCオフセットにより一方向の磁束がさらに蓄積されると、コアはより低い一次電流レベルで飽和に達し、CTの機能的なニーポイント電圧は定格値よりも効果的に低下します。.

### **Q: 直流オフセットは三相故障に存在するのか、それとも単相故障にのみ存在するのか？**

**A:** DC オフセットは、故障開始角度がゼロ以外の初期状態を生成するときはいつでも、三相、相間、および単相のすべての故障タイプで発生します。三相故障の場合、DC オフセットの大きさは、故障開始時の各相の電圧角度によって三相で異なり、少なくとも 1 つの相で大きな非対称性が発生します。.

### **Q: クラスTPYとクラスTPZ CTの違いは何ですか？**

**A:** クラスTPYは、残留応力をに制限した過渡性能を規定している。 Kr<10K_r < 10%, 差動および距離保護に適しています。クラスTPZは、ほぼゼロの残留磁束と線形化されたB-H特性を持つエアギャップコアを使用しており、部分的な飽和さえ許容できない超高速バスバー保護に最も予測可能なDCオフセット性能を提供します。.

1. “「インダクタ-過渡応答, `https://en.wikipedia.org/wiki/Inductor`. .誘導回路では電流が瞬時に変化しないという物理原理を説明する。証拠の役割：メカニズム; 出典の種類：ウィキペディア.サポート：誘導回路物理的制約。. [↩](#fnref-1_ref)
2. “「電力系統における直流オフセット減衰」、, `https://ieeexplore.ieee.org/document/8317325`. .異なるX/R比におけるDCオフセットの指数関数的減衰率を詳述したIEEEの研究。証拠の役割：統計; 資料の種類：研究。サポートDCオフセットは3～5サイクル以内に減衰する。. [↩](#fnref-2_ref)
3. “「IEC 61869-2：計器用変成器-第 2 部：変流器に対する追加要件, `https://webstore.iec.ch/publication/6014`. .Ktd 計算の数学的モデルを確立する基準。エビデンスの役割: 標準; 出典の種類: 標準.サポートKtdは総フラックス需要乗数を定量化する。. [↩](#fnref-3_ref)
4. “「変流器用磁性材料, `https://www.researchgate.net/publication/320146059_Magnetic_materials_for_current_transformers`. .DCオフセット下でのGOESコアの残留磁場挙動の解析。証拠の役割: メカニズム; 出典の種類: 研究.サポート：GOESコア高い残留。. [↩](#fnref-4_ref)
5. “「過渡電流トランス用ナノ結晶コア”、, `https://ieeexplore.ieee.org/document/7391219`. .エアギャップ付きTPZクラスコアの性能評価。エビデンスの役割：メカニズム; 出典の種類：研究.サポート: ナノ結晶TPZコアにおけるゼロに近い残留磁束。. [↩](#fnref-5_ref)